Номер на продукта на производителя:
IMW120R140M1HXKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IMW120R140M1HXKSA1-DG
Описание:
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Подробно описание:
N-Channel 1200 V 19A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентар:
207 Брой Нови Оригинални На Склад
12800710
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IMW120R140M1HXKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolSiC™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Източване към източникаtage (Vdss)
1200 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
19A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
182mOhm @ 6A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ id
5.7V @ 2.5mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
454 pF @ 800 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
94W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO247-3-41
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IMW120
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
30
Други имена
SP001946184
448-IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB90N06S4L04ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
