Номер на продукта на производителя:
IPA60R280P7XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPA60R280P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Подробно описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентар:
12802988
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPA60R280P7XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
Tube
Поредица
CoolMOS™ P7
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 190µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
761 pF @ 400 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
24W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO220-FP
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
IPA60R280
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически листове
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
SP001658302
IFEINFIPA60R280P7XKSA1
2156-IPA60R280P7XKSA1
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
Not Applicable
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
IRF6602
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
IRFSL23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
