Номер на продукта на производителя:
IPS65R1K0CEAKMA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPS65R1K0CEAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Подробно описание:
N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Инвентар:
12803749
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPS65R1K0CEAKMA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™ CE
Състояние на продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 200µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
37W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-251
Опаковка / Калъф
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Основен номер на продукта
IPS65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,500
Други имена
2156-IPS65R1K0CEAKMA1-IT
IFEINFIPS65R1K0CEAKMA1
SP001276048
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STU7NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
650
Номер на част
STU7NM60N-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.92
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK