Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
IPW65R190CFDAFKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
IPW65R190CFDAFKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Подробно описание:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12804872
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
O
0
P
k
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
IPW65R190CFDAFKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
650 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 700µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
151W (Tc)
Работна температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Клас
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO247-3
Опаковка / Калъф
TO-247-3
Основен номер на продукта
IPW65R
Технически данни и документи
HTML Технически лист
IPW65R190CFDAFKSA1-DG
Технически данни
IPx65R190CFDA
Технически листове
IPW65R190CFDAFKSA1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
240
Други имена
INFINFIPW65R190CFDAFKSA1
2156-IPW65R190CFDAFKSA1
SP000928268
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IXFH36N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
IXFH36N60P-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
6.71
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
FCH170N60
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Fairchild Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
11513
Номер на част
FCH170N60-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
2.97
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
IXFH30N60X
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
107
Номер на част
IXFH30N60X-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
6.12
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK