Номер на продукта на производителя:
SPI08N80C3XKSA1
Product Overview
Производител:
Infineon Technologies
Номер на част:
SPI08N80C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Подробно описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентар:
12806739
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SPI08N80C3XKSA1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Infineon Technologies
Опаковане
-
Поредица
CoolMOS™
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
800 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
8A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.9V @ 470µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
104W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
PG-TO262-3-1
Опаковка / Калъф
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Основен номер на продукта
SPI08N
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
INFINFSPI08N80C3XKSA1
SP000683148
SPI08N80C3XK
SPI08N80C3X
2156-SPI08N80C3XKSA1
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
IPW65R150CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
