2N1711S
Номер на продукта на производителя:

2N1711S

Product Overview

Производител:

Microchip Technology

Номер на част:

2N1711S-DG

Описание:

NPN TRANSISTOR
Подробно описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-39

Инвентар:

13246632
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

2N1711S Технически спецификации

Категория
Биполярен (BJT), Едночипови биполярни транзистори
Производител
Microchip Technology
Опаковане
Bulk
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
NPN
Ток - колектор (Ic) (макс.)
500 mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
30 V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
10nA (ICBO)
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Мощност - Макс
800 mW
Честота - преход
-
Работна температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Опаковка / Калъф
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Пакет устройства на доставчика
TO-39
Основен номер на продукта
2N1711

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
1

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
RoHS non-compliant
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
microchip-technology

JAN2N6676T1

TRANS NPN 300V 15A TO254

microchip-technology

JANTXV2N5682

TRANS NPN 120V 1A TO39

microchip-technology

JANTX2N3440U4

TRANS NPN 250V 2UA U4

microchip-technology

2N3507AL

NPN POWER SILICON TRANSISTORS