Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
NDT01N60T1G
Product Overview
Производител:
onsemi
Номер на част:
NDT01N60T1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Подробно описание:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12841772
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
r
s
b
u
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
NDT01N60T1G Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
onsemi
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 50µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
2.5W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
SOT-223 (TO-261)
Опаковка / Калъф
TO-261-4, TO-261AA
Основен номер на продукта
NDT01
Технически данни и документи
Технически данни
NDD01N60, NDT01N60
Допълнителна информация
Стандартен пакет
1,000
Други имена
NDT01N60T1GOSCT
2156-DGT01N60T1G-ONTR-DG
NDT01N60T1GOSTR
NDT01N60T1G-DG
2156-NDT01N60T1G
NDT01N60T1GOSDKR
ONSONSNDT01N60T1G
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
STN1HNK60
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
45248
Номер на част
STN1HNK60-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.37
Вид на замяна
Direct
Сертификация DIGI
Свързани продукти
NTBS2D7N06M7
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
NTMFS5C628NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NVMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
NDC631N
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6