Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
RS1E350BNTB1
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
RS1E350BNTB1-DG
Описание:
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Подробно описание:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентар:
2425 Брой Нови Оригинални На Склад
12976072
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
RS1E350BNTB1 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-HSOP
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
RS1E
Технически данни и документи
HTML Технически лист
RS1E350BNTB1-DG
Технически данни
RS1E350BN
Технически листове
RS1E350BNTB1
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
846-RS1E350BNTB1CT
846-RS1E350BNTB1DKR
846-RS1E350BNTB1TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1E350BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
810
Номер на част
RS1E350BNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.65
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1E350BNTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2425
Номер на част
RS1E350BNTB1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.19
Вид на замяна
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RSS060P05HZGTB
PCH -45V -6A POWER MOSFET: RSS06
RSS070N05HZGTB
AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF
PSMNR90-50SLHAX
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
RS1P600BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE