Номер на продукта на производителя:
CSD17576Q5B
Product Overview
Производител:
Texas Instruments
Номер на част:
CSD17576Q5B-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Подробно описание:
N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Инвентар:
6497 Брой Нови Оригинални На Склад
12788548
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
BSmk
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
CSD17576Q5B Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Texas Instruments
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
NexFET™
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
100A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
1.8V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
4430 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
8-VSONP (5x6)
Опаковка / Калъф
8-PowerTDFN
Основен номер на продукта
CSD17576Q5
Технически данни и документи
Продуктова страница на производителя
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Други имена
296-43635-6
TEXTISCSD17576Q5B
296-43635-2
2156-CSD17576Q5B
296-43635-1
CSD17576Q5B-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
2N7002-G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
CSD19536KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
