RN4991FE,LF(CT
Номер на продукта на производителя:

RN4991FE,LF(CT

Product Overview

Производител:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер на част:

RN4991FE,LF(CT-DG

Описание:

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Подробно описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Инвентар:

12889594
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

RN4991FE,LF(CT Технически спецификации

Категория
Биполярен (BJT), Биполярни транзисторни масиви, предварително предубеждени
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип транзистор
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напрежение - повреда на излъчвателя на колектора (макс.)
50V
Резистор - основа (R1)
10kOhms
Резистор - емитерна основа (R2)
-
Усилване на постоянен ток (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насищане (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - прекъсване на колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Честота - преход
250MHz, 200MHz
Мощност - Макс
100mW
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
SOT-563, SOT-666
Пакет устройства на доставчика
ES6
Основен номер на продукта
RN4991

Технически данни и документи

Технически данни

Допълнителна информация

Стандартен пакет
4,000
Други имена
RN4991FELF(CTCT
RN4991FE,LF(CB
RN4991FELF(CTDKR
RN4991FELF(CTTR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Свързани продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902FE(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1502(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1910FE(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6