Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SSM3J129TU(TE85L)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM3J129TU(TE85L)-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Подробно описание:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12890858
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM3J129TU(TE85L) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
U-MOSV
Състояние на продукта
Obsolete
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
20 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
500mW (Ta)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
UFM
Опаковка / Калъф
3-SMD, Flat Leads
Основен номер на продукта
SSM3J129
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM3J129TUTE85L
SSM3J129TU(TE85L)DKR
SSM3J129TU(TE85L)CT
SSM3J129TU(TE85L)TR
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
SSM3J133TU,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
106343
Номер на част
SSM3J133TU,LF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.09
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
2SK1828TE85LF
MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
TPH2R608NH,L1Q
MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP