Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
SSM6L13TU(T5L,F,T)-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Подробно описание:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 500mW Surface Mount UF6
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12889419
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SSM6L13TU(T5L,F,T) Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
-
Поредица
-
Състояние на продукта
Obsolete
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция на FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Източване към източникаtage (Vdss)
20V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
268pF @ 10V, 250pF @ 10V
Мощност - Макс
500mW
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
6-SMD, Flat Leads
Пакет устройства на доставчика
UF6
Основен номер на продукта
SSM6L13
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SSM6L13TU(T5L,F,T)-DG
SSM6L13TU(T5LFT)
SSM6L13TU(T5LFT)TR
SSM6L13TU(T5LFT)TR-DG
SSM6L13TUT5LFT
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
SSM6N67NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6N44FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6N16FE,L3F
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6