Номер на продукта на производителя:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK13E25D,S1X(S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Подробно описание:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентар:
44 Брой Нови Оригинални На Склад
12889248
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
I24D
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK13E25D,S1X(S Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
250 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
13A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
102W (Tc)
Работна температура
150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220-3
Опаковка / Калъф
TO-220-3
Основен номер на продукта
TK13E25
Технически данни и документи
Технически данни
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRF644PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Vishay Siliconix
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1392
Номер на част
IRF644PBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.65
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
