Номер на продукта на производителя:
TK5A60W5,S5VX
Product Overview
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер на част:
TK5A60W5,S5VX-DG
Описание:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Подробно описание:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентар:
12988699
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
TK5A60W5,S5VX Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Опаковане
Tube
Поредица
DTMOSIV
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 230µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
370 pF @ 300 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
30W (Tc)
Работна температура
150°C
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220SIS
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Допълнителна информация
Стандартен пакет
50
Други имена
264-TK5A60W5S5VX
264-TK5A60W5,S5VX
264-TK5A60W5,S5VX-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
