Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SI4330DY-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SI4330DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Подробно описание:
Mosfet Array 30V 6.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12918325
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
Y
b
r
z
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SI4330DY-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, FET, MOSFET масиви
Производител
Vishay
Опаковане
-
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Obsolete
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция на FET
Logic Level Gate
Източване към източникаtage (Vdss)
30V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
6.6A
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощност - Макс
1.1W
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Опаковка / Калъф
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройства на доставчика
8-SOIC
Основен номер на продукта
SI4330
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SI4330DY-T1-GE3-DG
Технически данни
SI4330DY
Технически листове
SI4330DY-T1-GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
2,500
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
IRL6372TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Infineon Technologies
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
13964
Номер на част
IRL6372TRPBF-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.31
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
STS10DN3LH5
ПРОИЗВОДИТЕЛ
STMicroelectronics
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
11163
Номер на част
STS10DN3LH5-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.47
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
AO4854
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
AO4854-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.18
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
AO4818B
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
82726
Номер на част
AO4818B-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.24
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
SI4202DY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Vishay Siliconix
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
SI4202DY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.47
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI3588DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
SIA907EDJT-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI1563DH-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8