Номер на продукта на производителя:
SIE802DF-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIE802DF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Подробно описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Инвентар:
12916933
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIE802DF-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Last Time Buy
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.7V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7000 pF @ 15 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
10-PolarPAK® (L)
Опаковка / Калъф
10-PolarPAK® (L)
Основен номер на продукта
SIE802
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SIR846ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SI7404DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
SQ7414CENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W