Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SIRA52DP-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIRA52DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12920238
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIRA52DP-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7150 pF @ 20 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
48W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIRA52
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SIRA52DP-T1-GE3-DG
Технически данни
SiRA52DP
Технически листове
SIRA52DP-T1-GE3
Чертежи на продукта
PowerPak SO-8 Drawing
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIRA52DP-T1-GE3CT
SIRA52DP-T1-GE3TR
SIRA52DP-T1-GE3DKR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер на част
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.25
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3G100GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
112698
Номер на част
RQ3G100GNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.14
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1G150MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
RS1G150MNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.32
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3E180GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4770
Номер на част
RQ3E180GNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.21
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1G260MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2296
Номер на част
RS1G260MNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.77
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SQ3461EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
SIA430DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SI4632DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO