SIRA52DP-T1-GE3
Номер на продукта на производителя:

SIRA52DP-T1-GE3

Product Overview

Производител:

Vishay Siliconix

Номер на част:

SIRA52DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентар:

12920238
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ

SIRA52DP-T1-GE3 Технически спецификации

Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
40 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
60A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.4V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
7150 pF @ 20 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
48W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIRA52

Технически данни и документи

HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Чертежи на продукта

Допълнителна информация

Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIRA52DP-T1-GE3CT
SIRA52DP-T1-GE3TR
SIRA52DP-T1-GE3DKR

Екологична и износна класификация

Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Алтернативни модели

НОМЕР НА ЧАСТ
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер на част
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.25
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3G100GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
112698
Номер на част
RQ3G100GNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.14
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1G150MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
RS1G150MNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.32
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RQ3E180GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4770
Номер на част
RQ3E180GNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.21
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1G260MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2296
Номер на част
RS1G260MNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.77
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
vishay-siliconix

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SIA430DJT-T4-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK

vishay-siliconix

SIR873DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4632DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 40A 8SO