Номер на продукта на производителя:
SIA413ADJ-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIA413ADJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Подробно описание:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Инвентар:
2900 Брой Нови Оригинални На Склад
13058898
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIA413ADJ-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
TrenchFET®
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
12 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 10 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
19W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SC-70-6
Основен номер на продукта
SIA413
Технически данни и документи
HTML Технически лист
Технически данни
Технически листове
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIA413ADJ-T1-GE3DKR
SIA413ADJ-T1-GE3TR
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
SIA413ADJ-T1-GE3CT
Екологична и износна класификация
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
SI6435ADQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
SUM45N25-58-E3
MOSFET N-CH 250V 45A TO263
