Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
Италия
Финландия
Руски
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Сърбия
Беларус
Холандия
Швеция
Черна гора
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Румъния
Австрия
Белгия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Аржентина
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
SIRA66DP-T1-GE3
Product Overview
Производител:
Vishay Siliconix
Номер на част:
SIRA66DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Подробно описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
13061260
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
u
T
l
j
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
SIRA66DP-T1-GE3 Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
Vishay
Опаковане
Tape & Reel (TR)
Поредица
-
Опаковки
Tape & Reel (TR)
Състояние на частта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
30 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
62.5W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Surface Mount
Пакет устройства на доставчика
PowerPAK® SO-8
Опаковка / Калъф
PowerPAK® SO-8
Основен номер на продукта
SIRA66
Технически данни и документи
HTML Технически лист
SIRA66DP-T1-GE3-DG
Технически данни
SIRA66DP
Технически листове
SIRA66DP-T1-GE3
Допълнителна информация
Стандартен пакет
3,000
Други имена
SIRA66DP-T1-GE3DKR
SIRA66DP-T1-GE3CT
SIRA66DP-T1-GE3-ND
SIRA66DP-T1-GE3TR
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1E350BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
810
Номер на част
RS1E350BNTB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.65
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS1E321GNTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
4800
Номер на част
RS1E321GNTB1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.91
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RS3E095BNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер на част
RS3E095BNGZETB-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.29
Вид на замяна
MFR Recommended
НОМЕР НА ЧАСТ
RXH070N03TB1
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
2498
Номер на част
RXH070N03TB1-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.32
Вид на замяна
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Свързани продукти
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8