Начало
Продукти
Производители
За DiGi
Свържете се с нас
Блогове и публикации
Запитване/Оферта
Bulgaria
Вход
Изборен език
Текущ език по ваш избор:
Bulgaria
Превключвател:
Английски
Европа
Обединено кралство
ДР Конго
Аржентина
Турция
Румъния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
Италия
Финландия
Беларус
България
Дания
Естония
Полша
Украйна
Словения
Чешки
Гръцки
Хърватия
Израел
Черна гора
Руски
Белгия
Швеция
Сърбия
Баски
Исландия
Босна
Унгарски
Молдова
Германия
Холандия
Ирландия
Азия / Тихоокеански регион
Китай
Виетнам
Индонезия
Тайланд
Лаос
Филипински
Малайзия
Корея
Япония
Хонконг
Тайван
Сингапур
Пакистан
Саудитска Арабия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мианмар
Африка, Индия и Близкия изток
Обединените арабски емирства
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южна Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Мароко
Тунис
Южна Америка / Океания
Нова Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венецуела
Еквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северна Америка
САЩ
Хаити
Канада
Коста Рика
Мексико
За DiGi
За нас
За нас
Нашите сертификати
DiGi Въведение
Защо DiGi
Политика
Политика за качество
Условия за ползване
Съответствие с RoHS
Процес на връщане
Ресурси
Продуктови категории
Производители
Блогове и публикации
Услуги
Гаранция за качество
Начин на плащане
Глобална доставка
Цени за доставка
Често задавани въпроси
Номер на продукта на производителя:
R6007KNX
Product Overview
Производител:
Rohm Semiconductor
Номер на част:
R6007KNX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Подробно описание:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентар:
Онлайн запит за оферта
12818180
Искане на оферта
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Име за контакт
*
Телефон
*
Електронна поща
Адрес за доставка
Съобщение
(
*
) е задължително
Ще се свържем с вас в рамките на 24 часа
ИЗПРАТИ
R6007KNX Технически спецификации
Категория
FET-ове, MOSFET-ове, Самостоятелни FET-ове, MOSFET-ове
Производител
ROHM Semiconductor
Опаковане
Bulk
Поредица
-
Състояние на продукта
Active
Тип FET
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Източване към източникаtage (Vdss)
600 V
Ток - непрекъснато източване (id) @ 25°C
7A (Tc)
Напрежение на задвижването (макс. Rds включено, минимално включено)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 1mA
Зареждане на портата (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Функция на FET
-
Разсейване на мощността (макс.)
46W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж
Through Hole
Пакет устройства на доставчика
TO-220FM
Опаковка / Калъф
TO-220-3 Full Pack
Основен номер на продукта
R6007
Технически данни и документи
HTML Технически лист
R6007KNX-DG
Технически данни
R6007KNX
Технически листове
R6007KNX
Допълнителна информация
Стандартен пакет
500
Други имена
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-DG
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-DG
Екологична и износна класификация
Състояние на RoHS
ROHS3 Compliant
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
1 (Unlimited)
Състояние на REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Алтернативни модели
НОМЕР НА ЧАСТ
TK8A65D(STA4,Q,M)
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Toshiba Semiconductor and Storage
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
53
Номер на част
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
0.92
Вид на замяна
Similar
НОМЕР НА ЧАСТ
R6007KNX
ПРОИЗВОДИТЕЛ
Rohm Semiconductor
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
0
Номер на част
R6007KNX-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.02
Вид на замяна
Parametric Equivalent
НОМЕР НА ЧАСТ
IXTP4N70X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛ
IXYS
НАЛИЧНО КОЛИЧЕСТВО
24
Номер на част
IXTP4N70X2M-DG
ЕДИНИЧНА ЦЕНА
1.35
Вид на замяна
Similar
Сертификация DIGI
Свързани продукти
RTQ020N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6